石墨墊片是什么

時間：2022-01-19

作者：北京華諾恒宇光能科技有限公司

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詞條說明
硅片切割一般有什么難點
硅片切割一般有什么難點1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中，SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。表現形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發亮，較其它線痕更加窄細。 3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題，造成硅片上出現密集線痕
【激光蝕刻】蝕刻需要注意的問題
減少側蝕和突沿，提高蝕刻系數側蝕產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，（或者使用老式的左右搖擺蝕刻機）側蝕越嚴重。側蝕嚴重影響印制導線的精度，嚴重側蝕將使制作精細導線成為不可能。當側蝕和突沿降低時，蝕刻系數就升高，高的蝕刻系數表示有保持細導線的能力，使蝕刻后的導線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無論是錫－鉛合金，錫，錫－鎳合金或鎳，突沿過度都會造成導線短路。因為突沿容易斷裂下來，在導線的兩點之間形
單晶硅片切割技術發展趨勢分析
單晶硅片切割技術發展趨勢分析硅片薄片化不僅有效降低了硅材料的消耗，而且體現了硅片的柔韌性，給電池和組件端帶來了更多的可能性。硅片薄片化不僅受切片設備、金剛線、工藝等的限制，還受到電池和組件技術的需求變化。例如，異質結電池（HIT）的對稱結構。低溫或無應力工藝可以完全適應較薄的硅片，其效率不受厚度的影響。即使減少到100μm左右，短路電流ISC的損失也可以通過開路電壓VOC得到補償。切割薄片需要對切
精密小孔加工
1.零件分析（1）零件材料分析。該零件材料為DT4E，屬于硬度較低、剛度較差的材料。DT4E材料在切削過程中有如下特點：材料質地較軟、粘性較大；切削溫度高；切屑不易折斷，易粘結；刀具易磨損。（2）零件結構分析。此零件是液壓閥中的重要的功能零件，孔系表面要有高的硬度、好的耐磨性、強的耐腐蝕性、高的表面質量，因此對零件的孔系表面進行鍍鎳處理。φ4.5H7、φ4.7H7尺寸為鍍鎳后尺寸，因要求表面