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失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗,為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-R
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進設(shè)計或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看,目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫:“吃一塹,長一智”,《論語》中也有“不貳過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進一步的犯錯。 一方面,一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系,不能對物料進行有效的追溯。一旦出了問題,很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)?。?/p>
一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡(發(fā)白)。 3、形狀多為條狀或塊狀。 4、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 5、從切片上看,圖電層會包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮;有時成鋸齒狀 2、通常
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