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失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對
1.半導(dǎo)體求職招聘群 2.半導(dǎo)體技術(shù)交流群 3.電鏡交流群 4.無損檢測群 5.半導(dǎo)體元器件測試群 6.IC失效分析交流群 7.可靠性測試群 8.芯片安全驗(yàn)證群 9.軟件測試群 10.半導(dǎo)體設(shè)備采購群 11.微電子交流群 12.芯片設(shè)計(jì)群 13.江浙滬半導(dǎo)體群 14.北京半導(dǎo)體群 15.深圳半導(dǎo)體群 16.西安半導(dǎo)體群 17.武漢半導(dǎo)體群 18.成都重慶半導(dǎo)體群 19.合肥半導(dǎo)體群 20.第三方實(shí)
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
晶圓代工迎來新的黃金期 近期,以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注,原因在于它們2020年**季度的財(cái)報(bào)。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財(cái)報(bào)或財(cái)測不同,臺積電、聯(lián)電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績十分亮眼,與當(dāng)下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的負(fù)面影響形成了鮮明的對比。看來,晶圓代工(Foundry)這種商業(yè)模式確有其過人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預(yù)估
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機(jī): 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
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