芯片漏電分析手段被誤導了很多年

時間：2018-08-30

作者：儀準科技（北京）有限公司

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FIB功能介紹
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領域的應用隨著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發(fā)展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（
失效分析技術及失效分析案例
失效分析技術及失效分析案例作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因，PCB在生產和應用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題。對于這種失效問題，我們需要用到一些常用的失效分析技術，來使得PCB在制造的時候質量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結了**失效分析技術，供參考借鑒。
集成電路的2020年發(fā)展趨勢
集成電路的2020年發(fā)展趨勢據(jù)了解，2019年由于受世界經濟發(fā)展的增速減緩、整機廠商的去庫存化等綜合因素的干擾，**半導體產業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。作為半導體產業(yè)里的關鍵產品之一，集成電路領域的發(fā)展趨勢備受關注。集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。縮寫為IC；采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離