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援助方案分兩部分,總****過100**民幣。 1、免費捐贈探針臺產品(5臺) A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下: PW-400:4 inch chuck(探針臺主體) 1 pcs SMZ-168: 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M: 500萬像素,操作軟件(CCD) 1 pcs MP-01: 80TPI,仰角機構,磁性底座(探
失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
芯片行業(yè)的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當時的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節(jié)點”。每個節(jié)點對應于晶體
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