詞條
詞條說(shuō)明
手動(dòng)探針測(cè)試 2020年比較艱難的開(kāi)始了,好事多磨,相信經(jīng)歷過(guò)新型冠狀病毒的洗禮后,我國(guó)的經(jīng)濟(jì)會(huì)有爆發(fā)式的增長(zhǎng)。開(kāi)年伊始就收到很多朋友對(duì)手動(dòng)探針臺(tái)使用問(wèn)題的咨詢,在此收集整理供手動(dòng)探針臺(tái)相關(guān)信息供大家參考。因經(jīng)驗(yàn)有限,有說(shuō)的不合適的地方,望大家指正。 一:手動(dòng)探針臺(tái)用途: 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā),旨在確保質(zhì)量及可
如何確認(rèn)顯微鏡的放大倍率 很多實(shí)驗(yàn)室都在使用顯微鏡,但對(duì)顯微鏡的相關(guān)專業(yè)知識(shí)并不了解,只是知道怎么去操作,但對(duì)于一些基本常識(shí)可能都不怎么清楚,那么今天我們就來(lái)講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計(jì)算的? 也許有人會(huì)說(shuō)這不是很簡(jiǎn)單的問(wèn)題嘛,但實(shí)際還是有點(diǎn)小復(fù)雜的。 首先我們來(lái)舉個(gè)例子來(lái)說(shuō):當(dāng)體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍,變倍體變倍范圍是:0.7X-4.5X,附加物鏡為:2X。那它的光學(xué)放大倍率為:10乘0
掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測(cè)、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,**
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后,整個(gè)晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè),裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片**非凡的晶圓,以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,較可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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