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芯片行業的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導下,芯片中的晶體管數量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀60年代**被發現,并一直延續到2010年代,至此以后,晶體管密度的發展開始放緩。如今,主流芯片包含了數十億個晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續按照當時的速度發展下去,它們的晶體管數量將是現在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節點”。每個節點對應于晶體
儀準科技有限公司是一家專業的半導體分析設備的整合商,產品涵蓋半導體、LCD (TFT)、LED、太陽能等高科技領域。 近年來,金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)已經成為切換電源的主要功率元件,從場效應晶體管 (FET)、雙極性結式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT),現在出現了氮化鎵(GaN),可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如,納微半導體(Navitas)推出
芯片手術芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術,通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內部結構,開封后可以結合OM分析判斷樣品現狀和可能產生的原因。 開封的含義:Decap即開封,也稱開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來,同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備,方便觀
失效分析常用方法匯總 芯片在設計生產使用各環節都有可能出現失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據北軟檢測失效分析實驗室經驗,為大家總結了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內容包含: 1.材料內部的晶格結構、雜質顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-R
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