納米銅 - 鎳復合粉體在半導體電磁屏蔽材料中的性能研究

時間：2025-05-04作者：石家莊市京煌科技有限公司瀏覽：153

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  **納米碳化硼：半導體抗輻射的"隱形盾牌"** 在半導體領域，輻射防護一直是技術攻關的重點。納米碳化硼粉體因其*特的性能，成為新一代核輻射屏蔽材料的關鍵成分。這種材料的出現，為高輻射環境下的電子設備提供了較可靠的保護。 ****強吸收能力** 納米碳化硼的微觀結構賦予其出色的中子吸收性能。與傳統屏蔽材料相比，單位厚度的納米碳化硼復合材料對熱中子的吸收效率提升數倍。其原理在于硼同位素的高效俘獲作用，而

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