原裝正品 貼片 LMBT3904LT1G 1AM LMBT3906LT1G 2A NPN/PNP晶體管

時間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發展有限公司瀏覽：134

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  詞條說明

• PIC32MX330F064H-I/PT TQFP-64 處理控制器 MICROCHIP

  工作條件：2.3V至3.6V ?-40oC至+105oC（直流至80 MHz） ?-40oC至+85oC（直流至100 MHz） ?0oC至+70oC（直流至120 MHz） 核心：120 MHz/150 DMIPS MIPS32?M4K? ?MIPS16e?模式，最大可減少40%的代碼大小 ?代碼高效（C和匯編）體系結構 ?單循環（MAC）32x16和雙循環32x32乘法 時鐘管理 ?0.9%內

• SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器 全新原裝

  SST39VF640xB設備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術制造。與替代方法相比，裂柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫入（程序或擦除）。這些設備符合對x16存儲器的JEDEC標準針腳分配。 SST39VF640xB設備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時間為7μs

• 供應 TLC2252AIDR SOIC-8 運算放大器 低功耗運放 原裝正品

  TLC2252和TLC2254是來自德州儀器公司的雙重和四重操作放大器。這兩種設備在單電源或分電源應用中都表現出增加動態范圍的鐵路輸出性能。TLC225x系列每個通道只消耗35μA的電源電流。這種微功率操作使它們成為電池供電應用的良好選擇。與前幾代CMOS放大器相比，噪聲性能得到了顯著的提高。請參看圖1，TLC225x在1kHz時的噪聲水平為19nV/√Hz；比競爭激烈的微功率解決方案低4倍。 T

• FDMT80080DC 晶體管IC芯片 貼片VDFN8

  FDMT80080DC 規格信息： 制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET RoHS:是 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:Power-33-8 通道數量:2 Channel 晶體管極性:N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓:80 V Id-連續漏極電流:36 A Rds On-漏源導通電阻:1.06 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓:3