針對美容機行業，公司較新推出100Hz調Q模塊和1Khz調Q模塊。

時間：2020-01-05

作者：長春艾克思科技有限責任公司

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詞條說明
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。首先我們測試從某網店購買的IRF4
正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析
正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版電光調Q是一種高壓窄脈沖，具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性，電子設備在如此干擾的環境中，往往出現死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障，這類故障的形成原因復雜，使用傳統的處理故障手段力所不及。一般情況下，電光調Q形成單向高壓脈沖，雖然采用濾波，屏蔽等手段，能夠降低干擾到原來的10%；但是任然不能滿足精密測試的要求；更高等
可編程高壓電源
一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、電離空氣產生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試二、電源參數類型數值單位備注輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調節輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護輸出功率 0
MOS管并聯均流技術分析
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