MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2016-06-29作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：175

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

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  詞條說(shuō)明

• AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源

  AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源 AIKS研究人員經(jīng)過(guò)反復(fù)的研發(fā)和測(cè)試，成功的開(kāi)發(fā)出適用靜電紡絲，高壓靜電除塵，高壓X射線**器等的高精度可調(diào)高壓電源。 ? 該電源采用了全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，使得電源效率大大提高；公司成功克服高功率密度下的絕緣散熱問(wèn)題，將電源體積大大減小，同時(shí)電源允許在**滿負(fù)荷的情況下24小時(shí)工作。該產(chǎn)品輸出的較大電壓可達(dá)80kv，電壓80kv時(shí)電流可達(dá)到6.67

• **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈

• 0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源

  0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源 （型號(hào)：TEC-300W-15A-20） 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測(cè)器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù)，以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù)，具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性，開(kāi)關(guān)機(jī)時(shí)無(wú)過(guò)沖、反沖、浪涌現(xiàn)象，并帶有過(guò)流、過(guò)溫、欠溫等保護(hù)電路，以及一組常

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4