7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅動

時間：2022-11-04作者：上海寅涵智能科技發展有限公司瀏覽：99

上海寅涵智能科技發展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• IGBT模塊使用中的注意事項？

  由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵較通過一層氧化膜與發射較實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模

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