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詞條說明
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇,熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金,其熔點(diǎn)低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸氣較多,只適用于低分?jǐn)嗄?/p>
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),
公司主營(yíng)原裝進(jìn)口電子元器件:1、艾賽斯/IXYS、英飛凌/Infineon、三社/SANREX 、西門康/Semikron、富士/Fuji全系列IGBT產(chǎn)品;2、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi、英飛凌/Infineon、西門康/Semikron、仙童、ABB、三社/SANREX、美國(guó)IR、艾賽斯/IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;3、CONCEPT、IDC驅(qū)動(dòng)片及驅(qū)動(dòng)板;4、巴斯曼/
1、特點(diǎn)不同發(fā)光二極管相較于普通二極管具有體積小、色彩艷麗、耗電低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。2、用途不同發(fā)光二極管:發(fā)光二極管在現(xiàn)代社會(huì)具有廣泛的用途,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。普通二極管:主要用于家用電器、工業(yè)控制電路等。3、作用特點(diǎn)不同發(fā)光二極管:通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光,它在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能。普通二極管:利用二極管和電阻
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機(jī): 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
郵 編:
網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com

功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價(jià)|FZ400R17KE3 400A

?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1200R16KF4 1200A

Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A

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IGBT驅(qū)動(dòng)電路|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1800R17KE3_B2 1800A

英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A

大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A

功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
手 機(jī): 18221423398
電 話: 021-51096998
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
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