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詞條說明
正確選擇富士IGBT的關鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據實際應用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關速度:根據應用的開關頻率和響應要求,選擇富士IGBT的開關速度,一般有標準、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據設備的安裝和布局要求,選擇適合的
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
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