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IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
1)柵電壓IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數,保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
1、電磁閥類;2、磁性開關類;3、節流閥類;4、浮動接頭類;5、緩沖器類;6、氣缸類;7、真空發生器類;8、壓力開關類;9、調壓閥類;10、手動閥類;11、其它類。
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
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