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詞條說明
在開始生產(chǎn)之前,裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗合格合格,并在半導(dǎo)體工廠接收后再次要半導(dǎo)體檢測合格。只有無缺陷的晶圓才用于生產(chǎn),它們的生產(chǎn)前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導(dǎo)致芯片功能不佳的區(qū)域。裸晶片或非圖案化晶片也在經(jīng)受被動或主動處理環(huán)境之前和之后被測量,以確定來自給定處理工具的粒子貢獻的基線。? ? ? ?100納米以下的半導(dǎo)體檢測工具目前被用于制造環(huán)境中,以**進
銅合金成分分析的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用 銅合金因其優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、耐腐蝕性及機械性能,廣泛應(yīng)用于電力、電子、建筑、交通等領(lǐng)域。其性能的優(yōu)劣直接取決于成分的配比與雜質(zhì)控制,因此成分分析成為銅合金研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量管控的核心環(huán)節(jié)。 成分分析的核心方法 1. 光譜分析:通過激發(fā)樣品產(chǎn)生特征光譜,快速測定銅合金中的主量元素(如銅、鋅、錫)及微量雜質(zhì)(如鉛、鐵)。電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES)和X射
看不見的**:硫化氫腐蝕如何悄悄摧毀金屬設(shè)備硫化氫腐蝕測試是評估材料在含硫環(huán)境中性能的重要手段。這種無色有毒氣體廣泛存在于石油、天然氣開采及化工生產(chǎn)過程中,對金屬設(shè)備構(gòu)成嚴重威脅。測試過程中,硫化氫與金屬表面發(fā)生電化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致設(shè)備強度下降、壽命縮短。金屬在硫化氫環(huán)境中的腐蝕主要表現(xiàn)為全面腐蝕和局部腐蝕兩種形式。全面腐蝕使設(shè)備壁厚均勻減薄,而局部腐蝕則形成點蝕、縫隙腐蝕等隱蔽性破壞。測試數(shù)據(jù)顯示
氫致開裂:金屬材料的隱形**在石油天然氣、化工等工業(yè)領(lǐng)域,氫致開裂(HIC)是困擾工程師多年的材料失效問題。這種由氫原子滲透引發(fā)的材料破壞現(xiàn)象,往往在毫無征兆的情況下突然發(fā)生,造成災(zāi)難性后果。氫致開裂的本質(zhì)是氫原子在金屬晶格中的擴散和聚集。當(dāng)環(huán)境中的氫原子滲透進入金屬內(nèi)部,會在應(yīng)力集中區(qū)域或材料缺陷處聚集,形成分子氫產(chǎn)生巨大壓力。這種壓力足以使金屬晶粒間的結(jié)合力減弱,較終導(dǎo)致微裂紋的萌生和擴展。
公司名: 無錫瀚科檢測有限公司
聯(lián)系人: 王華科
電 話:
手 機: 18036019463
微 信: 18036019463
地 址: 江蘇無錫新吳區(qū)景賢路52號206室
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