碲金屬作為稀散小金屬擁有不可取代的地位

時間：2021-12-09

作者：湖南稀能新材料有限公司

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詞條說明
高純二氧化鍺有著巨大的應用空間
二氧化鍺摻雜氧化物半導體已經得到廣泛的關注，其中以摻雜的TiO2，SnO2和ZnO材料的制備和性質被研究的較多。二氧化鍺材料在光學，催化以及生物等領域有著廣泛應用，尤其在光學領域具有很大潛力。二氧化鍺是一種寬禁帶(5eV)材料，其本身就具有發光性質，還可以通過摻雜調節發光光譜的波長，有資料顯示在從藍光到近紅外光的波段范圍內都有其發光峰的分布P。二氧化鍺還具有高的折射率，這使其可以作為一種光波導材料
二氧化鍺的用連續還原法的生產方法
二氧化鍺一直都是用氫還原法制取金屬鍺的原材料；由二氧化鍺氫還原生產金屬鍺錠的方法，可分為間斷還原和連續還原兩種。前者設備簡單，但操作麻煩，電能和氫氣消耗很大。它是把裝有高純二氧化鍺的石墨/石英舟置于管狀爐的中間，封閉后用氫氣先把管內的空氣置換掉，然后加熱升溫讓二氧化鍺在氫氣中被充分還原成金屬粉體后，再慢慢升高溫度進行融化，最后停止加熱，降溫度把舟取出得到還原鍺錠。連續還原方法是將裝載二氧化鍺的石墨
鉍粉有哪些制備方法？
鉍粉傳統的生產方法有水霧法，氣霧化法和球磨法；水霧法在水中霧化及烘干時，因鉍粉的表面積大易造成鉍氧化；同樣，氣霧化法在高溫下，鉍與氧接觸也易造成大量氧化；兩種方法均造成雜質多，鉍粉末形狀不規則，顆粒分布不均勻。而球磨法是：人工用不銹鋼錘擊鉍錠至≤10mm的鉍粒，或者用水淬鉍。然后鉍粒進入有真空環境，陶瓷橡膠為內襯的球磨機粉碎，這種方法雖然在真空中球磨，氧化少，雜質低，但費工費時，產率低，成本高，顆
三氧化二鎵的在半導體行業的作用，你知道多少？
三氧化二鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。 Singisetti教授和他的學生（Ke Zang和Abhishek Vaidya）制造了一個由5微米的、由氧化鎵制成的金屬氧化物半