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可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
在現代工業與電力電子技術飛速發展的今天,可控硅模塊作為一種關鍵的功率半導體器件,正扮演著越來越重要的角色。它不僅是電能轉換與控制的核心組件,更是推動各類高效系統穩定運行的基石。本文將圍繞可控硅模塊的主要作用展開探討,幫助讀者深入了解這一技術如何助力工業進步和能源管理。可控硅模塊是一種高度集成的功率半導體器件,它將多個可控硅芯片及相關電路封裝在一個緊湊的模塊內。這種設計不僅提升了設備的整體性能,還簡
薄膜電容器是一種以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點,這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數呢?這是用來形容薄膜電容器電介質吸收現象的數值,我們稱之為吸收系數,這是和電介質、電介質的極化和電容器的吸收
在現代電力電子技術領域,功率半導體器件扮演著至關重要的角色。作為其中的佼佼者,西門康可控硅憑借其卓越的性能和廣泛的應用,成為眾多工業設備與新興技術領域不可或缺的核心組件。本文將圍繞西門康可控硅的種類及其優缺點展開分析,旨在為用戶提供全面的技術參考。西門康可控硅主要分為以下幾類:普通晶閘管(KP型)、快速晶閘管(KK型)、高頻晶閘管(KG型)以及雙向晶閘管(KS型)。不同類型的可控硅在結構、性能和應
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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