中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛

時間：2022-12-07

作者：深圳海木芯科技有限公司

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SOI CMOS結構和工藝
常規(guī)的CMOS結構中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結構。當SCR被觸發(fā)時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應 (Latch-up)。為避免閂鎖效應，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術制作CMOS電路，即在藍寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結。但是，藍寶石價格昂
MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關系
1 MEMS 比 CMOS 的復雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機理。舉個例子，由于 CMOS 器件沒有活動部件，因此不需要釋放工藝。正因為如此，當活動部件“粘”在表面上，導致設備故障時，就會產生靜摩擦，CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層
小課堂之CMOS芯片檢測
眾所周知，隨著手機技術的不斷發(fā)展，在過去幾年中，智能手機上功能和技術增長較快的是手機攝影功能，尤其是似乎像參與了手機攝影比賽一般的國產手機，一直高掛在DXO榜單上。映射到手機上表現為攝像頭的數量不斷增加，像素不斷加高，這點讓CMOS制造商口袋飽飽。例如，由于CMOS芯片的巨大銷售量，索尼**進入了世界前15大半導體市場，當然，這背后的國產機功勞功不可沒。CMOS是互補金屬氧化物半導體的縮寫。它是指
CMOS微縮結束了嗎？
不可否認的是，CMOS的微縮已經成為推動過去幾十年的巨大進步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統(tǒng)的成本，從而實現新的應用。摩爾定律的終結已經被預言了很多次，而材料、設備概念和圖案的創(chuàng)新已經為當前的10nm以下技術掃清了道路。然而，該行業(yè)已經到了這樣一個階段:過去50年的規(guī)?；鶐淼墓摹⑿阅?、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經變得越來越難以實現，尤其是在展望未來3nm技術的時候