軟起動(dòng)器應(yīng)用場(chǎng)合及選型-案例

時(shí)間：2017-12-11作者：沈陽(yáng)西諾爾電氣有限公司瀏覽：185

專(zhuān)注于等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 變頻器中的IGBT

  變頻器現(xiàn)在對(duì)于我們來(lái)說(shuō)都不陌生了，因?yàn)樽冾l器在工業(yè)中已經(jīng)越來(lái)越普及了，那么，對(duì)于變頻器中的IGBT，你是否有所了解呢？這篇文章中，西諾爾電氣就來(lái)帶大家了解一下變頻器中的IGBT。 首先，我們要了解IGBT到底是什么東西。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式

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  西諾爾DSI高性能矢量型變頻器全系列具有相間短路保護(hù)、18.5kW及以上輸出對(duì)地短路保護(hù)、自整定故障、編碼器斷線、電源欠/過(guò)壓保護(hù)、拷貝異常、擴(kuò)展卡連接異常、通訊異常、模擬輸入異常、輸入電源異常、輸出缺相、運(yùn)行中異常掉電、欠/過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、變頻器/電機(jī)/硬件過(guò)載保護(hù)、外設(shè)保護(hù)、溫度采樣異常。 那么，擁有這么多項(xiàng)保護(hù)的DSI高性能矢量型變頻器有可以適用于哪些行業(yè)呢？下面，西諾爾電氣就

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