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英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1**N溝道功率場效應
MOSFET 800V、CoolMOSa、P7、功率晶體管 最新的800V CoolMOS?P7系列設置了一個新的基準,采用800V 超級、連接、技術和結合了一流的性能和 英飛凌18年來最先進的易用性 開拓性、超級、交叉、技術、創新。 特征 ?同類最佳 FOM RDS(on)* EOS;減少的、Qg、Ciss和Coss ?“同類最佳”、DPAK、RDS(on) ?“同類最佳”、3V的V
簡介: 名稱:雙向可控硅 控制方式:雙向 極數:三極 封裝材料:金屬封裝 封裝外形:平板形 關斷速度:高頻(快速) 散熱功能:帶散熱片 頻率特性:高頻 功率特性:中功率 BTA16-600B,采用TO-220AB 封裝方式。 電流, Igt:50mA 電流, It 有效值:16A 峰值電流, Itsm (50Hz):160A 電壓, Vgt:1.5V 工作溫度范圍:-40??C to +125°C
供應 DPDW01 SOT23-6 絲印DW01 鋰電池保護芯片
概述 DW01A系列電路是一款高精度的單節可充電鋰電池的過充電和過放電保護電路,它集高精度過電壓充電保 護、過電壓放電保護、過電流放電保護等性能于一身。正常狀態下,DW01A的VDD端電壓在過電壓充電保護閾 值(VOC)和過電壓放電保護閾值(VOD)之間,且其VM檢測端電壓在充電器檢測電壓(VCHG)與過電流放 電保護閾值(VEDI)之間,此時 DW01A的COUT端和DOUT端都輸出高電平,分別
原裝** FT24C04A-KLR-T SOT23-5 24C04 I2C接口 EEPROM存儲器
描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行電氣可擦除和可編程只讀存儲器,通常稱為EEPROM。它們被組織為512/1024/2048個單詞,每個單詞為8位(1字節)。該設備采用專有的先進CMOS工藝制造,用于低功率和低壓應用。這些設備可提供標準的8鉛DIP、8鉛SOP、8鉛TSSOP、8鉛DFN、8鉛MSOP和5鉛SOT-23/TSOT-23包裝。一個標準的雙
公司名: 深圳市南北行電子發展有限公司
聯系人: 周斯琪
電 話: 13844481270
手 機: 13714705290
微 信: 13714705290
地 址: 廣東深圳福田區深圳市福田區深南中路3024號航空大廈2507室
郵 編:

全新原裝 ISL8014AIRZ QFN16 開關穩壓器

NS2009 貼片MSOP10 音頻功放芯片

CH450H SOP-20 LED顯示驅動 數碼管驅動及矩陣鍵盤控制芯片

LP5562TMX/NOPB 絲印D5 封裝DSBGA12 LED驅動器芯片 全新原裝

原裝** LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC電源

原裝**MT25QL128ABA1EW9-0SIT RW137 128MB WDFN-8 NOR閃存芯片

原裝** MT40A512M8RH 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC

REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準芯片 原裝**
公司名: 深圳市南北行電子發展有限公司
聯系人: 周斯琪
手 機: 13714705290
電 話: 13844481270
地 址: 廣東深圳福田區深圳市福田區深南中路3024號航空大廈2507室
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