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IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一較與其它兩較阻值為無窮大,調換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大,則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGB
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員,而目前交流調壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點,對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點,下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、 靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不
1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合(電路接通),截止時相當于開關打開(電路切斷)。特性是開關速度快,快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊,600V快恢復二極管模塊,1200V快恢復二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型半導體B為負極利用二
測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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