詞條
詞條說(shuō)明
可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi);從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合
英國(guó)西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13 量大從優(yōu)全新中頻爐晶閘管
品牌WESTCODE規(guī)格型號(hào)PP601-13編號(hào)PP601-13計(jì)量單位1個(gè)付款方式面議參考價(jià)格50價(jià)格單位人民幣供貨量不限說(shuō)明書(shū),報(bào)價(jià)手冊(cè)及驅(qū)動(dòng)暫無(wú)其他資料暫無(wú)相關(guān)產(chǎn)地英國(guó)發(fā)貨地昆山產(chǎn)品詳情英國(guó)西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13? 量大從優(yōu)全新中頻爐晶閘管銷(xiāo)售部分型號(hào):PP601-226PP601-222PP601-220PP601-218PP601-212PP601-20
IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
二極管結(jié)構(gòu)組成二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線(xiàn)及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。??由P區(qū)引出的電極稱(chēng)為陽(yáng)極,N區(qū)引出的電極稱(chēng)為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。?[4]&nbs
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