可控硅模塊的好壞如何判斷？

時間：2020-09-19作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：864

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 平板式可控硅的制作方法

  **名稱：平板式可控硅的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優點，發展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點，其加工

• 保險絲與熔斷器的區別

  保險絲是較簡單的保護裝置之一。在農村，配電變壓器的高低壓側設置熔斷器作為短路保護，防止短路電流對變壓器的破壞。此外，各種動力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續過載保護裝置。當電流**過較**，熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負荷和短路保護的電器，較大的特點是結構簡單、體積小、重量輕、使用維護方便、價格低廉、可靠性高，具有很大的實用**和經濟意義。保險絲是一種簡單有效的保護用具，在電路中主要起短

• 英飛凌IGBT模塊檢測方法

  英飛凌IGBT模塊檢測方法 ：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰