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# IGBT模塊技術的演進與未來趨勢## IGBT技術發展歷程IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊技術自問世以來經歷了多次重大革新。早期產品采用平面柵結構,開關速度相對較慢,導通損耗較高。隨著工藝進步,溝槽柵技術應運而生,顯著降低了導通壓降,提高了開關頻率。第三代IGBT引入場終止技術,使芯片厚度大幅減小,同時保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破,單位面積電
如何挑選合適的IGBT模塊功率半導體器件中,IGBT模塊的選擇直接影響設備性能。面對市場上琳瑯滿目的產品,工程師需要把握幾個關鍵指標。電壓等級是首要考量因素。不同應用場景對耐壓要求差異顯著,工業變頻器通常需要1200V級別,而新能源發電系統則要求1700V以上規格。選擇時需預留20%余量,以應對電壓波動和浪涌沖擊。過低的耐壓會導致器件擊穿,而過高的等級又會造成成本浪費。電流容量同樣至關重要。模塊標
1. 熔斷器類型的選擇應根據使用場合選擇熔斷器的類型。電網配電一般用刀型觸頭熔斷器;電動機保護一般用螺旋式熔斷器;照明電路一般用圓筒帽形熔斷器;保護可控硅元件則應選擇半導體保護用快速式熔斷器。2. 熔斷器規格的選擇1) 熔體額定電流的選擇(1) 對于變壓器、電爐和照明等負載,熔體的額定電流應略大于或等于負載電流。(2) 對于輸配電線路,熔體的額定電流應略大于或等于線路的安全電流。(3) 在電動機回
什么是可控硅可控硅在自動控制控制,機電領域,工業電氣及家電等方面都有廣泛的應用。可控硅是一種有源開關元件,平時它保持在非道通狀態,直到由一個較少的控制信號對其觸發或稱“點火”使其道通,一旦被點火就算撤離觸發信號它也保持道通狀態,要使其截止可在其陽極與陰極間加上反向電壓或將流過可控硅二極管的電流減少到某一個值以下。可控硅二極管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當可
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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