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# 可控硅模塊選型指南:關鍵參數與注意事項可控硅模塊作為電力電子領域的核心元器件,在工業控制、電機調速、電力系統等領域發揮著重要作用。面對市場上琳瑯滿目的型號規格,如何選擇適合的可控硅模塊成為工程師和技術人員必須掌握的技能。電壓電流參數是可控硅模塊選型的首要考慮因素。模塊的額定電壓應至少高于實際工作電壓的1.5-2倍,以應對電網波動和瞬態過電壓。電流容量則需根據負載特性確定,連續工作電流不應超過模
引言在現代電子電路設計中,吸收電容作為抑制電壓尖峰、保護敏感元件的關鍵組件,其性能直接關系到整個系統的可靠性和穩定性。揚州作為華東地區重要的電子元器件集散地,匯聚了眾多國際知名品牌的進口吸收電容產品。本文將詳細介紹揚州市場上常見的進口吸收電容種類及其各自的優缺點,幫助工程師和采購人員做出更明智的選擇。一、進口吸收電容的基本概念進口吸收電容是電子電路中用于吸收能量、抑制電壓尖峰的關鍵元件,常見于電
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
在現代工業與能源領域,*、穩定的功率轉換與控制技術已成為推動發展的核心要素之一。西門康IGBT模塊作為電力電子轉換與控制的重要組成部分,憑借其卓越的性能與可靠性,在眾多應用場景中發揮著不可替代的作用。什么是西門康IGBT模塊?IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼具MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降優點。西門康作為全球知名的功率半導體供應商,在IG
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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