國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機，工作結溫-55~175℃

時間：2022-11-09作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：145

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• 國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計

  在1KW PFC電源設計中，功率因數校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩定的直流電源。在PFC功率因數校正方面如果對系統效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復二極管（FRD）；然而在一些要求效率更高的場合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運用需要更高的效率。本文重點提到國產基本半導體650V/10A碳化硅肖特基二較

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• 國芯思辰|國產碳化硅可替代科銳C2M0160120D應用服務器電源中

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