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英飛凌IGBT是一種高性能功率半導體器件,具有廣泛的應用領域。以下是英飛凌IGBT的一些主要用途:變頻驅動器:英飛凌IGBT被廣泛用于交流電驅動器中,例如用于工業應用中的電機控制,如風力發電機、電梯、水泵、壓縮機等。其高電壓和高電流能力使其適用于各種功率需求。電力傳輸和分配:英飛凌IGBT在電力系統中的應用廣泛,用于直流輸電、柔性交流輸電系統、高壓直流輸電站等。它們能夠實現高效的電力傳輸和變換,提
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
要滿足正常使用西門子觸摸屏的條件,可以考慮以下幾點:適宜的工作環境條件:觸摸屏應該在溫度、濕度和氣候等環境條件適宜的場所使用。一般來說,工作溫度應在指定范圍內,濕度應適當控制,免受過高或過低的濕度影響,以避免電子元件和觸摸屏的損壞。平穩且穩定的支撐結構:觸摸屏需要穩固地安裝在支撐結構上,以避免觸摸屏在操作過程中產生搖晃或解體的情況。確保支撐結構的平整度、穩定性和承重能力符合觸摸屏的要求。電源供應穩
發展趨勢1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域,為滿足家電行業的發展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。2、U-IGBTU(溝槽結構)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后,可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進步電流密度,制造相同
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
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手 機: +86 13128707396
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地 址: 廣東深圳福田區園嶺街道園東社區園嶺八街園嶺新村92棟103
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