聚焦離子束FIB在失效分析技術中的應用
- 時間：2020-01-05作者：深圳市啟威測標準技術服務有限公司瀏覽：66
深圳市啟威測標準技術服務有限公司專注于失效分析,無損檢測,溫濕度循環測試,金相切片等
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詞條說明
解剖制樣技術的意義？ X 射線透視技術、掃描聲學顯微術等無損失效分析技術只能解決有限的失效分析問題。對于大部分失效問題，必須采用解剖制樣技術，實現芯片表面和內部的可視察性和可探測性。失效分析必須有選擇地進行剝層分析，稱為樣品制備過程。 以失效分析為目的的樣品制備技術的主要步驟包括：打開封裝、去鈍化層。對于多層結構芯片來說，是需要去層間介質。但必須保留金屬化層及金屬化層正下方的介質，還需要保留硅材料
什么是聚焦離子束FIB: 聚焦離子束（FIB）技術類似于聚焦電子束技術，其主要不同是用離子源代替電子源，用離子光學系統代替電子光學系統。FIB系統用鎵或銦作為離子源，在離子束流較小的情況下用作掃描離子顯微鏡，其原理與SEM類似。在離子束流較大的情況下，可局部去除和淀積靶材料，作芯片電路修改和局部剖切面。 聚焦式離子束系統利用靜電透鏡將Ca（鎵）元素離子離子化成Ca+，并將離子束聚焦成非常小的尺寸，
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