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時間：2018-11-15作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：41

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• MOS管STN2610 參數(shù) **0V 50A 應(yīng)用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25

• STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價格優(yōu)美，質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其