ADC108S022CIMTX/NOPB TSSOP-16 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 全新原裝

時(shí)間：2021-10-07作者：深圳市云創(chuàng)達(dá)科技有限公司瀏覽：68

深圳市云創(chuàng)達(dá)科技有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類等

• 詞條

  詞條說明

• 供應(yīng)原裝正品 STP24N60DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場效應(yīng)管

  描述 這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復(fù)體二極管生產(chǎn)使用新一代的MDmesh?技術(shù)：MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶布局聯(lián)系在一起，產(chǎn)生世界上較低電阻和門電荷之一。因此，它們適用于要求較高的高效轉(zhuǎn)換器，以及理想的橋接拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在

• 供應(yīng)原裝正品 MMPF0100F0ANES MMPF0100 QFN56 電源管理芯片IC

  PF0100智能管理系統(tǒng)電源管理集成電路(PMIC)提供了一個高度可編程/可配置的架構(gòu)，具有完全集成的電源設(shè)備和較小的外部組件。PF0100較多有6美元的轉(zhuǎn)換器、六個線性調(diào)節(jié)器、RTC電源和硬幣電池充電器，可以為一個完整的系統(tǒng)提供電力，包括應(yīng)用處理器、內(nèi)存和系統(tǒng)外設(shè)，在廣泛的應(yīng)用中。 PF0100具有一次性可編程(OTP)存儲器，有預(yù)先編程的標(biāo)準(zhǔn)版本，或非編程版本，以支持自定義編程。PF0100

• 供應(yīng) FDV301N 絲印301 SOT-23 N溝道 25V/220mA 貼片MOSFET 全新原裝

  一般說明 這種n通道邏輯級增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管是使用仙童的專有的，高電池密度，DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種非常高密度的過程是特別適合于較小化狀態(tài)電阻。該裝置已被特別設(shè)計(jì)用于低壓應(yīng)用，作為數(shù)字晶體管的替代品。由于不需要偏置電阻，這種n通道場效應(yīng)晶體管可以用不同的偏置電阻值代替幾個不同的數(shù)字晶體管。 特征 25V，0.22A連續(xù)，0.5A峰值。 RDS(ON)=5W@VGS=2.7V RDS(ON)=4

• 供應(yīng)TPS25221DRVR 絲印1C7H 封裝WSON-6 全新原裝負(fù)載開關(guān)調(diào)節(jié)芯片

  描述 TPS25221適用于可能遇到重電容性負(fù)載和短路的應(yīng)用?？删幊屉娏飨拗崎撝悼墒褂猛獠侩娮杵髟O(shè)置在275 mA和2.7 A（典型）之間。I在較高的電流限制設(shè)置下，可實(shí)現(xiàn)±6%的精確度。控制電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間，以較大限度地減少開啟和關(guān)閉期間的電流浪涌。 當(dāng)負(fù)載試圖吸取**過編程ILIMIT的電流時(shí)，內(nèi)部FET進(jìn)入恒流模式，以保持ILAdat或低于ILIMIT。在內(nèi)置去毛刺時(shí)間后的過流條件下，